RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 4, страницы 793–795 (Mi qe12235)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Рекомбинационный лазер на плазменной струе гелия и ксенона

И. И. Муравьев, А. М. Шевнин, А. М. Янчарина, Г. С. Евтушенко

СКБ НП «Оптика» CO АН СССР, Томск

Аннотация: Получена генерация на переходе с λ = 2,026 мкм Хе I в импульсной гелий-ксеноновой плазменной струе, вылетающей из разрядного канала через сопло или сопловую решетку со скоростью ~105 см/с. Исследованы пространственно-временные зависимости мощности генерации от давления и состава смеси, энерговклада, формы и длительности импульса тока. Установлено, что при достаточно высоком давлении гелия ((pНе = 100–300 мм рт. ст.) осуществляется рекомбинационный механизм заселения рабочих уровней.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 42.55.Fn

Поступила в редакцию: 20.07.1981


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, 12:4, 493–495

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024