В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 305

Лазеры

Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией

В. И. Козловский^a, П. А. Трубенко^b, Е. М. Дианов^b, Ю. В. Коростелин^a, Я. К. Скасырский^a, П. В. Шапкин^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке ZnSe была выращена квантоворазмерная структура из 115 квантовых ям состава ZnCdSe/ZnSe. На основе этой структуры был изготовлен резонатор, включающий в себя часть исходной подложки. Получена лазерная генерация с продольной накачкой сканирующим электронным пучком с энергией электронов E_e = 40 — 70 кэВ. При температуре T = 80 К и E_e = 65 кэВ пороговая плотность тока составила 60 А/см², а выходная мощность равнялась 0.15 Вт на длине волны 465 нм. При T = 300 К генерации была достигнута (λ = 474 нм) на переходах в подложке ZnSe.

PACS: 42.55.Px, 78.66.Fd, 78.66.Hf, 85.30.St

Поступила в редакцию: 14.01.1998