RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 9, страницы 1800–1801 (Mi qe12434)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Активные среды и методы накачки

Особенности концентрационного тушения люминесценции с уровня 4S3/2 иона Er3+ в кристалле (Y1 – xErx)3Al2O5

Т. Т. Басиев, Ш. Джеорджеску, В. И. Жеков, В. Лупей, Т. М. Мурина, A. М. Прохоров, М. И. Студеникин

Институт общей физики АН СССР, Москва

Аннотация: Экспериментально исследуется безызлучательная релаксация возбуждения с уровня 4S3/2 иона Er3+ в Y3Al5O12. Показано, что тушение возбуждения с уровня 4S3/2 не может быть описано с помощью единого микропараметра на всех стадиях распада возбуждения.

УДК: 535.37:621.373.826

PACS: 78.55.Hx, 61.72.Ss

Поступила в редакцию: 07.01.1988


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:9, 1123–1125

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024