А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2171

Эта публикация цитируется в 40 статьях

Письма в редакцию

Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм

А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Сообщается о достижении режима непрерывной генерации при комнатной температуре в инжекционных лазерах на основе гетероструктуры InGaSbAs/GaAISbAs, работающих в диапазоне 2,2–2,4 мкм. Использовались лазеры полосковой геометрии с гребневым волноводом. Пороговые токи лазеров в непрерывном режиме при T = 300 K лежали в пределах 80–150 мА.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Pk, 42.60.Jf, 42.81.Qb

Поступила в редакцию: 06.06.1988