В. Н. Баграташвили, В. Н. Буримов, А. Н. Жерихин, Л. К. Кузнецова, В. М. Мачанков, В. Н. Окорков, В. Я. Панченко, В. Н. Семиногов, В. И. Соколов, С. И. Цыпина, В. П. Якунин, “Повышение выхода ИК лазерной диссоциации молекул вблизи поверхности с периодическим рельефом”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2173

Письма в редакцию

Повышение выхода ИК лазерной диссоциации молекул вблизи поверхности с периодическим рельефом

В. Н. Баграташвили, В. Н. Буримов, А. Н. Жерихин, Л. К. Кузнецова, В. М. Мачанков, В. Н. Окорков, В. Я. Панченко, В. Н. Семиногов, В. И. Соколов, С. И. Цыпина, В. П. Якунин

Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР, Шатура, Моск. обл.

Аннотация: Теоретически предсказаны и экспериментально обнаружены существенное повышение выхода и снижение порога ИК многофотонной диссоциации молекул SiH₄ вблизи поверхности медной решетки с периодическим рельефом, обусловленные возрастанием локальных полей при дифракции ограниченных световых пучков на шероховатой поверхности в условиях резонансного возбуждения поверхностных электромагнитных волн.

УДК: 621.373.826.038.823

PACS: 33.80.Gj, 82.50.Bc, 33.80.Wz

Поступила в редакцию: 30.06.1988