aИнститут радиотехники и электроники АН ЧССР, Прага bУниверситет, Бат, Англия
Аннотация:
Описаны изготовление и основные характеристики GalnAsP-лазеров на длину волны 1,3 мкм, использующих волноводную структуру гребенчатого типа для достижения ограничения боковой поперечной моды и тока. Для формирования лазерной структуры применялись метод ионно-лучевого травления и самосовмещенная фотолитография. На полученные узкие гребни (3–5 мкм) были нанесены контакты Шотки Ti–Au. Эти простые по конструкции лазеры имели пороговые токи, сравнимые с токами гораздо более сложных лазеров на основе зарощенных волноводных структур.