Связь положения p-n-перехода с пороговым током полосковых лазеров, работающих в области 1,3 мкм

С помощью метода зондирования профиля изучено положение p-n-перехода в активном слое InP/GalnAsP-лазеров с двойной гетероструктурой (ДГС), предназначенных для работы в области 1,3 мкм. Получены результаты для ДГС с различным уровнем легирования Zn в верхнем слое GalnAsP. Дано объяснение наличию смещенного или несмещенного p-n-перехода в различных ДГС. Средний пороговый ток лазеров, изготовленных в исследованных ДГС, коррелирует с положением p-n-перехода в структуре.