Электрический отклик в InGaAsP/InP-гетеролазерах

Изучено изменение напряжения на лазерных диодах диапазона 1,3 мкм при введении внешней оптической обратной связи в форме электрического отклика на прерывание оптической связи («оптоэлектронный» сигнал). Измерения выполнены на образцах с одномодовыми заращенными полосковыми гетероструктурами – в лабораторном бескорпусном варианте и в варианте серийного излучателя ИЛПН-202 со световодным выводом. Оптоэлектронный сигнал достигал 10–16 мВ, но в случае световодного вывода был значительно меньше (0,1–1,8 мВ в зависимости от качества стыковки лазера со световодом). Показано, что серийный излучатель ИЛПН-202 может быть использован без какой-либо дополнительной оптики в качестве датчика субмикронных смещений с чувствительностью более 10 кВ/м.