Аннотация:
Численно решено стационарное уравнение теплопроводности для InGaAsP/InP-лазеров (λ = 1,3мкм) с гребенчатым волноводом, припаянных верхней стороной к хладопроводу; получены двумерные температурные распределения, перпендикулярные гребню. В качестве теплового источника внутри лазера взяты активная область и контакт на вершине гребня. Рост температуры перехода и соответствующее тепловое сопротивление лазерного кристалла и припоя вычислялись для нескольких вариаций параметров лазера. Тепловые свойства особенно чувствительны к изменениям ширины гребня и толщины припоя. Полученные результаты полезны для тепловой оптимизации лазерных диодов с гребенчатым волноводом.