Высокоэффективные InGaAsP/lnP-гетероструктуры диапазона 1,3 мкм, полученные «двухфазным» жидкофазным методом

Описано жидкофазное эпитаксиальное выращивание двухфазным методом гетероструктур InGaAsP/InP для изготовления инжекционных лазеров диапазона 1,3 мкм. Изучены гетероструктуры трех типов: двойные, с добавочным четверным слоем (λ ≈ 1,1 мкм), прилегающим к активному, и с двумя четверными слоями между активным слоем и ограничивающими слоями InP. С точки зрения пороговой плотности тока, излучаемой оптической мощности и воспроизводимости, конфигурация с двумя побочными четверными слоями оказывается наилучшей.