Двухэтапная жидкофазная эпитаксия для изготовления зарощенных гетероструктур InGaAsP/InP

Описаны технология и некоторые физические свойства зарощенных гетеролазеров на 1,3 мкм. Мезаполоски шириной 8 мкм образованы на гетероэпитаксиальних пластинах, приготовленных в жидкофазной эпитаксии (630°C). Затем они зарощены во втором, низкотемпературном процессе (590°C). Пороговый ток составлял примерно 100 мА, и температурная чувствительность около 60 K. Наблюдался также, но нерегулярно, одномодовый режим генерации.