А. Бервольф, П. Эндерс, А. Кнауэр, Д. Линке, У. Цаймер, “Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2273

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС

А. Бервольф, П. Эндерс, А. Кнауэр, Д. Линке, У. Цаймер

Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин

Аннотация: Показана связь выхода годных лазерных диодов с плотностью дислокаций и их распределением в подложке. Описана методика выявления ямок травления и их связь с дефектами подложки.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 73.40.Kp, 61.72.Lk