RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2276–2279 (Mi qe12634)

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Зависимость интенсивности фотолюминесценции от качества подготовки поверхности и свойств InP n-типа

А. Кнауэр, 3. Грамлих, Р. Штаске

Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин

Аннотация: Проведено комплексное изучение связи интенсивности фотолюминесценции и эффективного времени жизни носителей с качеством обработки поверхности пластин (нарушения, толщина оксидного слоя) и исходными свойствами материала (поверхностные и объемные дефекты, неоднородность распределения легирующей примеси).

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 78.55.Cr, 72.20.Jv


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:11, 1424–1426

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024