К. Фогель, Д. Малы, Р. Пухерт, У. Шаде, “Омическое сопротивление металлических контактов с двойными гетероструктурами GalnAsP/lnP как функция состава приконтактного слоя”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2284

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Омическое сопротивление металлических контактов с двойными гетероструктурами GalnAsP/lnP как функция состава приконтактного слоя

К. Фогель, Д. Малы, Р. Пухерт, У. Шаде

Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин

Аннотация: Изучены характеристики низкоомных контактов Au–Cr–Au с четверным твердым раствором GalnAsP, изопериодическим с InP, в зависимости от состава. Контакты применены в инжекционных лазерах диапазона 1,3 мкм. Минимальное удельное сопротивление (2·10^– 5 Ом · см²) получено на слое GalnAs с дырочной концентрацией ~10¹⁹ см^– 3.

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 73.40.Ns, 73.40.Cg