RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 11, страницы 2295–2297 (Mi qe12639)

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Деградационные явления в лазерных диодах

Г. Байстерab, П. Криспинab, Й. Маегеab, Г. Рихтерab, Г. Веберab, И. Рехенбергab

a Центральный институт электронной физики АН ГДР, Берлин
b Центральный институт оптики и спектроскопии АН ГДР, Берлин

Аннотация: Ускоренные испытания гетеролазеров GaAlAs/GaAs в согласии с более ранними результатами на светоизлучающих диодах показывают наличие трех различных форм старения: начальной и медленной стадий (обе с логарифмическим ходом во времени) и накладывающейся на них «градации» (повышение выходной мощности). Измерения методом ДЛТС в ходе испытаний в светодиодном режиме выявляют с самого начала образование B-уровней, относимых к антиструктурному дефекту GaAs. B-уровень появляется вновь в диодах, испытанных в лазерном режиме. Для группы из 21 отобранного лазерного диода средняя наработка до отказа составила 9 000 ч при 70°C и 5 мВт (согласно распределению Вейбулла скоростей деградации).

УДК: 621.373.826.038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.88.+h


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, 18:11, 1435–1436

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024