Зависимость токового коэффициента частотной модуляции одномодовых полупроводниковых лазеров от постоянного тока инжекции и частоты модулирующего сигнала

Обсуждаются типичные зависимости токового коэффициента частотной модуляции одночастотных гомолазеров от частоты модуляции f_м и постоянного тока инжекции. Для скоростной модуляции f_м > 1 МГц различный характер указанных зависимостей истолковывается с привлечением представлений об отрыве температуры ансамбля неравновесных электронов от температуры кристаллической решетки.