RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1977, том 4, номер 7, страницы 1552–1556 (Mi qe12675)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Краткие сообщения

Поляритонная параметрическая генерация внутри лазерного резонатора

С. Г. Карпенко, Ф. Н. Марчевский, В. Л. Стрижевский

Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко

Аннотация: Теоретически исследовано стационарное вынужденное комбинационное излучение ВКР с возбуждением поляритонов в нелинейном кристалле, помещенном внутрь лазерного резонатора, при возможной обратной связи по стоксову излучению и сильном поглощении поляритонной волны. Найдены формулы, определяющие интенсивности стоксова и поляритонного излучения. Показано, в частности, что зависимость интенсивности генерации от толщины нелинейного кристалла x носит немонотонный характер. Существует оптимальное значение x, различное для стоксова и поляритонного излучения и зависящее от величины обратной связи по стоксову излучению. Показано, что применение внутрирезонаторного ВКР обеспечивает существенный выигрыш в интенсивности генерации и найдена его количественная мера на основе требования наибольшей интенсивности поляритонного излучения.

УДК: 621.378.4

PACS: 42.65.Cq

Поступила в редакцию: 12.10.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1977, 7:7, 877–879


© МИАН, 2024