В. И. Козловский, П. А. Трубенко, Е. М. Дианов, Ю. В. Коростелин, Я. К. Скасырский, П. В. Шапкин, “Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)”, Квантовая электроника, 25:6 (1998), 576

Поправки

Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерной структуры ZnCdSe/ZnSe, выращенной на подложке ZnSe молекулярно-пучковой эпитаксией («Квантовая электроника», 1998, т.25, №4, с. 305-307)

В. И. Козловский^a, П. А. Трубенко^b, Е. М. Дианов^b, Ю. В. Коростелин^a, Я. К. Скасырский^a, П. В. Шапкин^a

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

PACS: 42.55.Px, 78.66.Fd, 78.66.Hf, 85.30.St

Поступила в редакцию: 11.11.1998