RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 7, страницы 641–646 (Mi qe1280)

Воздействие лазерного излучения на вещество

Особенности фотолиза молекул UF6 в смеси с водородом излучением импульсно-периодического CF4-лазера

В. Ю. Баранов, Ю. А. Колесников, А. А. Котов, В. П. Новиков, А. С. Разумов

Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований

Аннотация: Осуществлен фотолиз молекул гексафторида урана в присутствии водорода сфокусированным излучением импульсно-периодического CF4-лазера (λ = 16 мкм) с энергией в импульсе ~100 мДж и частотой следования импульсов 2 — 3.5 Гц. Показано, что выход фотолиза молекул UF6 в присутствии водорода на порядок больше, чем без него, а число молекул, подвергшихся фотолизу за импульс, в 3 — 5.5 раза превышает их число в зоне, где плотность излучения больше пороговой для диссоциации. Такой эффект объясняется лазерной активацией молекул UF6 внутри и вне этой зоны и последующей реакцией активированных молекул с водородом. Выход фотолиза молекул UF6 в присутствии водорода уменьшается от импульса к импульсу практически пропорционально изменению плотности молекул UF6, что обусловлено реакциями образовавшихся радикалов водорода с активированными и неактивированными молекулами UF6, скорость которых квадратично зависит от плотности UF6 перед очередным импульсом.

PACS: 82.50.Fv, 42.62.Cf, 61.80.Ba

Поступила в редакцию: 25.02.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1998, 28:7, 623–628

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024