Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирск
Аннотация:
Сообщается о генерации когерентного излучения на F2-центрах окраски в монокристалле LiF в видимой области спектра при накачке импульсным лазером на красителе. Указываются условия облучения кристаллов, в которых за полосу поглощения 0,45 мкм ответственны преимущественно F2-центры. Приводится спектральная область, в которой могут работать лазеры на указанном выше типе центров.