А. Л. Вирро, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Я. К. Фридентал, Ю. Э. Халлер, “Инжекционные лазеры на основе системы AlGaAsSb для длины волны 1,6 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2208

Международная конференция по полупроводниковым инжекционным лазерам СЕЛКО-87

Инжекционные лазеры на основе системы AlGaAsSb для длины волны 1,6 мкм

А. Л. Вирро^ab, П. Г. Елисеев^ab, П. А. Лыук^ab, Я. К. Фридентал^ab, Ю. Э. Халлер^ab

^a Институт физики АН ЭССР, Тарту
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва

Аннотация: Из экспериментальной зависимости плотности порогового тока j_n от толщины активной области получено для приведенной плотности порогового тока в случае AlGaAsSb-лазеров (λ = 1,59 мкм, T = 295 K) значение 8 кА/см²·мкм. Минимальное значение j_n = 1,8 кA/см². Лазеры с широкими контактами генерировали а непрерывном режиме до 175 K.

УДК: 621.373.826:038.825.4

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Pk, 42.70.Hj, 42.70.Nq