RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1993, том 20, номер 7, страницы 629–630 (Mi qe12915)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Письма в редакцию

Исследование оптических характеристик квантово-размерных халькогенидных структур, выращенных методом лазерно-стимулированной газофазовой эпитаксии

М. С. Бродинa, Н. В. Бондарьa, А. В. Коваленкоb, А. Ю. Мекекечкоb, В. В. Тищенкоa

a Институт физики АН Украины, г. Киев
b Днепропетровский государственный университет

Аннотация: Показано, что лазерно-стимулированная газофазная эпитаксия может использоваться в качестве технологии для синтеза квантово-размерных структур. Впервые с ее помощью синтезированы одиночные квантово-размерные структуры типа ZnS – ZnSe – ZnS/GaAs (100) и сверхрешетки ZnS – ZnSe на GaAs(100), а также исследованы их спектры отражения и фотолюминесценции.

УДК: 539.23:535.37

PACS: 78.55.Et, 78.67.De, 81.15.-z, 68.55.-a, 78.67.Pt

Поступила в редакцию: 12.05.1993


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1993, 23:7, 543–544

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024