RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 10, страницы 2289–2290 (Mi qe12929)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Планарный волновод среднего ИК диапазона с несущим слоем из халькогенидного стекла

А. Ф. Бессонов, А. И. Гудзенко, Л. Н. Дерюгин, В. А. Комоцкий, Г. А. Погосов, В. Е. Сотин, В. Ф. Теричев

Университет дружбы народов им. П. Лумумбы, Москва

Аннотация: Исследован планарный волновод в виде несущего слоя из халькогенидного стекла системы As–Se на подложке из монокристаллического фтористого бария (λ = 10,6 мкм). Измерен показатель преломления несущего слоя. Приведена методика измерения коэффициента затухания, который в исследованном волноводе для основной волны типа TE0 составлял 3 дБ/см.

УДК: 621.372.82:532.2-15

PACS: 84.40.Vt

Поступила в редакцию: 19.03.1976


 Англоязычная версия: Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, 6:10, 1248–1249


© МИАН, 2024