RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2005, том 35, номер 9, страницы 809–812 (Mi qe12954)

Эта публикация цитируется в 34 статьях

Лазеры

Лазерные характеристики кристалла Fe:ZnSe в диапазоне температур 85–255 K

А. А. Вороновa, В. И. Козловскийb, Ю. В. Коростелинb, А. И. Ландманb, Ю. П. Подмарьковb, М. П. Фроловb

a Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследована зависимость эффективности генерации лазера на кристалле Fe:ZnSe, выращенном из паровой фазы методом свободного роста, от температуры в диапазоне 85–255 K. При увеличении температуры дифференциальная эффективность (ДЭ) лазера по поглощенной энергии снижалась с 43% (85 K) до 9% (255 K), а его спектр генерации смещался соответственно от 4.0 до 4.17 мкм. Реализована генерация Fe2+:ZnSe-лазера при охлаждении кристалла термоэлектрическим модулем до температуры ~220 K. В этом случае ДЭ лазера по поглощенной энергии составила 30%. В лазере с термоэлектрическим охлаждением достигнута выходная энергия 142 мДж при ДЭ по отношению к падающей энергии накачки 21%.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 29.07.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2005, 35:9, 809–812

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024