Аннотация:
Исследована зависимость эффективности генерации лазера на кристалле Fe:ZnSe, выращенном из паровой фазы методом свободного роста, от температуры в диапазоне 85–255 K. При увеличении температуры дифференциальная эффективность (ДЭ) лазера по поглощенной энергии снижалась с 43% (85 K) до 9% (255 K), а его спектр генерации смещался соответственно от 4.0 до 4.17 мкм. Реализована генерация Fe2+:ZnSe-лазера при охлаждении кристалла термоэлектрическим модулем до температуры ~220 K. В этом случае ДЭ лазера по поглощенной энергии составила 30%. В лазере с термоэлектрическим охлаждением достигнута выходная энергия 142 мДж при ДЭ по отношению к падающей энергии накачки 21%.