RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 4, страницы 299–301 (Mi qe13139)

Эта публикация цитируется в 89 статьях

Лазеры и усилители

Эффективная лазерная генерация кристалла Fe2+:ZnSe при комнатной температуре

В. А. Акимовa, А. А. Вороновa, В. И. Козловскийb, Ю. В. Коростелинb, А. И. Ландманb, Ю. П. Подмарьковb, М. П. Фроловb

a Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: При накачке излучением гигантских импульсов Er:YAG-лазера с длиной волны 2.9364 мкм в кристалле Fe2+:ZnSe получена эффективная генерация при комнатной температуре. Дифференциальный КПД Fe2+:ZnSe-лазера по поглощенной энергии накачки был равен 13%. В дисперсионном резонаторе осуществлена плавная перестройка спектра генерации в области 3.95–5.05 мкм. Измерено также время затухания люминесценции уровня 5T2 иона Fe2+ в матрице ZnSe при комнатной температуре, составившее 355±15 нс.

PACS: 42.55.Rz, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 20.01.2006


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2006, 36:4, 299–301

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024