RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 4, страницы 309–314 (Mi qe13141)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры и усилители

Дифракционная модель полупроводникового усилителя

Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, А. Г. Сухарев, В. Н. Трощиева

ФГУП ГНЦ РФ — Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований

Аннотация: Создана трехмерная дифракционная модель полупроводникового усилителя на основе гетероструктур, описывающая распространение поля и установление оптической моды с учетом кинетики усиления в рамках диффузионного уравнения для носителей тока в квантовой яме. Приводятся результаты применения этой модели для усилителя с асимметричным широким волноводом и антиволноводной структурой в боковом направлении, не удерживающей поле. Показано, что для такой структуры длина установления основной моды сопоставима с длиной, на которой слабый сигнал увеличивается на два порядка. Анализируется баланс усиления и потерь для установившейся моды в зависимости от ширины волноводных вставок. Изучено влияние этой ширины на свойства основной оптической моды, в том числе на распределение поля в дальней зоне.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da, 42.25.Fx

Поступила в редакцию: 29.11.2005


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2006, 36:4, 309–314

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024