Аннотация:
Исследованы физические характеристики суперлюминесцентных диодов (СЛД) на основе квантоворазмерной гетероструктуры (КРС) с двумя активными (InGa)As-слоями. В зависимости от длины активного канала СЛД в режиме пространственно однородной инжекции выходная мощность излучения на выходе пристыкованного одномодового волоконного световода составляла 0.5–30 мВт при ширине спектра излучения от 30 до 120 нм. Использование таких СЛД в комбинированных широкополосных источниках излучения серии BroadLighter позволит перекрыть ближний ИК диапазон спектра 800–1100 нм.