RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 4, страницы 319–323 (Mi qe13143)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Лазеры и усилители

Люминесцентные и генерационные характеристики кристаллов KY(WO4)2:Yb3+ с высоким уровнем легирования

В. Э. Кисельa, А. Е. Трошинa, В. Г. Щербицкийa, Н. В. Кулешовa, А. А. Павлюкb, Ф. Брюннерc, Р. Пашоттаc, Ф. Морие-Геноудc, У. Келлерc

a НИИ оптических материалов и технологий, Белорусский национальный технический университет, г. Минск
b Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
c ETH Zurich, Physics Department, Institute of Quantum Electronics, Switzerland

Аннотация: Проведены измерения времени затухания люминесценции с учетом эффектов перепоглощения для кристаллов KY(WO4)2:Yb (KYW:Yb) с атомными концентрациями активных ионов от 0.2% до 30%. Измеренное радиационное время жизни ионов YbYb3+ составило 233 мкс. В непрерывном режиме генерации достигнута выходная мощность 1.46 и 1.62 Вт с эффективностью 52% и 47% для лазеров на кристаллах KYW:Yb с атомной концентрацией ионов YbYb3+ 10% и 30% соответственно. При использовании полупроводникового зеркала с насыщающимся поглотителем (SESAM) в режиме пассивной синхронизации мод были получены импульсы с длительностями 194 и 180 фс на длинах волн 1042 и 1039 нм для кристаллов с концентрациями YbYb3+ 10% и 30% соответственно, при этом средняя выходная мощность составила 0.63 и 0.75 Вт.

PACS: 32.50.+d, 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.70.Hj

Поступила в редакцию: 10.11.2005
Исправленный вариант: 12.01.2006


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2006, 36:4, 319–323

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024