RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 5, страницы 489–494 (Mi qe13307)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазерные приборы и элементы

Возможности повышения порога оптического пробоя кристаллов KDP

В. И. Бредихин, В. П. Ершов, В. Н. Буренина, А. Н. Мальшаков, А. К. Потемкин

Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Экспериментально исследовано влияние различных технологических факторов, таких как направление выращивания кристалла ((100) или (101)), кислотность маточного раствора, скорость выращивания, степень фильтрации маточного раствора, чистота исходного сырья, специально введенная примесь (Pb), а также послеростовой термический отжиг, на порог оптического пробоя кристаллов KDP, выращенных по технологии скоростного выращивания профилированных кристаллов. Показано, что использование исходных солей высокой чистоты и тонкой фильтрации растворов в комбинации с послеростовым отжигом кристаллов позволяет повысить порог лазерного пробоя кристаллов KDP, выращиваемых по скоростной технологии с профилированием, до значений, соответствующих требованиям современных лазерных проектов.

PACS: 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 16.06.2006
Исправленный вариант: 13.12.2006


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:5, 489–494

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024