RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 3, страницы 285–289 (Mi qe13325)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Сверхсильные поля

Формирование тонких пленок при прямом и обратном переносе аблированных частиц в результате воздействия фемтосекундным лазерным излучением на пенографит в атмосфере азота

В. М. Гордиенкоa, В. А. Дьяковa, Ю. Я. Кузяковb, И. А. Макаровa, Е. В. Раковa, М. А. Тимофеевc

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына

Аннотация: Впервые проведены сравнительные исследования формирования углеродных пленок методами прямого и обратного лазерного напыления в атмосфере азота с использованием импульсов фемтосекундной длительности. Обнаружено, что поверхность пленки обратного напыления практически свободна от микрочастиц, в изобилии покрывающих поверхность пленки прямого напыления. Измерена зависимость параметра шероховатости поверхностей пленок от радиуса – расстояния до центра области напыления. Показано, что шероховатость поверхности пленки на коллекторе обратного сбора меньше шероховатости пленки, образованной на коллекторе прямого сбора. Определены скорости абляции пенографита, а также объемы выносимого и напыляемого за выстрел материала.

PACS: 81.15.-z, 79.20.Ds, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 05.07.2006
Исправленный вариант: 26.09.2006


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:3, 285–289

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024