RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2006, том 36, номер 11, страницы 1023–1031 (Mi qe13332)

Эта публикация цитируется в 22 статьях

Специальный выпуск, посвященный многократному рассеянию излучения в случайно-неоднородных средах

Распространение фемтосекундного импульса в рассеивающей среде: теоретический анализ и численное моделирование

Е. А. Сергееваa, М. Ю. Кириллинbc, А. В. Приезжевbd

a Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
c Department of Technology, Optoelectronics and Measurements Techniques Laboratory, University of Oulu, Finland
d Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Проведено детальное исследование временного профиля фемтосекундного импульса при его распространении в средах с высокой анизотропией рассеяния (g ≥ 0.9). Для аналитического изучения структуры импульса рассеянного излучения предложен итерационный метод, основанный на разложении светового поля в ряд по кратностям рассеяния фотонов с выделением многократно рассеянной компоненты. Малоугловое приближение теории переноса излучения, использованное для расчета малых кратностей рассеяния, модифицировано с учетом разброса фотонов по временам запаздывания. Результаты теоретического расчета формы рассеянного сверхкороткого импульса хорошо согласуются с данными моделирования методом Монте-Карло. Показано, что в рассеивающей среде профиль импульса зависит от формы фазовой функции рассеяния при сохранении значения фактора анизотропии. Выполнен сравнительный анализ вкладов различных кратностей рассеяния в структуру импульса в зависимости от оптических свойств рассеивающей среды.

PACS: 42.25.Dd, 42.25.Fx, 42.65.Re

Поступила в редакцию: 27.06.2006
Исправленный вариант: 21.09.2006


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2006, 36:11, 1023–1031

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024