В. В. Бадиков, А. К. Дон, К. В. Митин, А. М. Серегин, В. В. Синайский, Н. И. Щебетова, Т. А. Щетинкина, “Оптический параметрический генератор среднего ИК диапазона на кристалле HgGa2S4 с накачкой импульсно-периодическим Nd:YAG-лазером”, Квантовая электроника, 37:4 (2007), 363

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Нелинейно-оптические явления

Оптический параметрический генератор среднего ИК диапазона на кристалле HgGa₂S₄ с накачкой импульсно-периодическим Nd:YAG-лазером

В. В. Бадиков^a, А. К. Дон^b, К. В. Митин^b, А. М. Серегин^b, В. В. Синайский^b, Н. И. Щебетова^b, Т. А. Щетинкина^b

^a Кубанский государственный университет, Лаборатория новейших технологий, г. Краснодар
^b ГНЦ РФ ГУП "НПО Астрофизика", г. Москва

Аннотация: Создан эффективный параметрический генератор на кристалле HgGa₂S₄ с накачкой излучением Nd:YAG-лазера с модуляцией добротности и диапазоном плавной перестройки по длине волны 3.7–5.7 мкм. Средняя мощность излучения при λ = 4 мкм составила 67 мВт при частоте следования импульсов 20 Гц. Эффективность преобразования по энергии достигла 4.9%.

PACS: 42.65.Yj, 42.70.Mp, 42.55.Rz

Поступила в редакцию: 05.08.2006
Исправленный вариант: 17.10.2006