RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 10, страницы 985–988 (Mi qe13510)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Специальный выпуск, посвященный 25-летию Института общей физики им. А.М.Прохорова

Получение температурной зависимости критической напряженности электрического поля в SF6 и смесях SF6 с C2H6 методом лазерного нагрева газа

А. А. Белевцевa, С. Ю. Казанцевb, И. Г. Кононовb, К. Н. Фирсовb

a Институт теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Получены температурные зависимости критической приведенной напряженности электрического поля (E/N)cr в SF6 и смесях SF6 с C2H6 в диапазоне температур газа Tg = 293 – 1500 К в отсутствие термической диссоциации. Нагрев газа осуществлялся в результате VT-релаксации молекул SF6, возбуждаемых излучением импульсного CO2-лазера. Значения (E/N)cr оценивались по квазистационарным напряжениям горения объемного самостоятельного разряда, зажигаемого с некоторой временной задержкой по отношению к лазерному импульсу. Показано, что в отсутствие диссоциации приведенная напряженность электрического поля в SF6 и смесях SF6 с C2H6 в исследуемом диапазоне температур увеличивается с ростом Tg. Проведено сравнение полученной температурной зависимости (E/N)cr в SF6 с результатами работ других авторов.

PACS: 42.55.Lt, 52.80.-s

Поступила в редакцию: 27.12.2006
Исправленный вариант: 29.03.2007


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:10, 985–988

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024