И. П. Казаков, В. И. Козловский, В. П. Мартовицкий, Я. К. Скасырский, Ю. М. Попов, П. И. Кузнецов, Г. Г. Якущева, А. О. Забежайлов, Е. М. Дианов, “Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра”, Квантовая электроника, 37:9 (2007), 857

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Наноструктура на основе ZnSe/ZnMgSSe для лазерной электронно-лучевой трубки в синей области спектра

И. П. Казаков^a, В. И. Козловский^a, В. П. Мартовицкий^a, Я. К. Скасырский^a, Ю. М. Попов^a, П. И. Кузнецов^b, Г. Г. Якущева^b, А. О. Забежайлов^c, Е. М. Дианов^c

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Институт радиотехники и электроники РАН, г. Фрязино, Московская обл.
^c Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва

Аннотация: Эпитаксиальные слои ZnMgSSe и наноструктуры ZnSe/ZnMgSSe с квантовыми ямами выращены методами молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ПФЭМОС) на подложках из GaAs. Исследованы их структурные и люминесцентные свойства в зависимости от содержания Mg и S. Обнаружен распад твердого раствора ZnMgSSe на структурные фазы в образцах с шириной запрещенной зоны свыше 2.9 эВ при T = 300 К. Распад затрудняет создание эффективных лазеров. Показано, что высокая однородность кристаллической решетки барьерных слоев ZnMgSSe возможна в периодических наноструктурах ZnSe/ZnMgSSe, выращенных методом ПФЭМОС при T≈430°С. На основе таких структур реализован лазер с выходной мощностью 1.5 Вт на длине волны 458 нм при продольной накачке электронами с энергией 42 кэВ при комнатной температуре.

PACS: 42.55.Px, 41.75.Fr, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 24.01.2007