П. П. Васильев, Х. Кан, Т. Хирума, “Влияние фемтосекундных импульсов сверхизлучения на спектры спонтанного излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 37:11 (2007), 1001

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры

Влияние фемтосекундных импульсов сверхизлучения на спектры спонтанного излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs

П. П. Васильев^a, Х. Кан^b, Т. Хирума^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K., Japan

Аннотация: Проведено экспериментальное исследование спектров спонтанного излучения, сопровождающего генерацию фемтосекундных импульсов сверхизлучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs. Продемонстрировано в явном виде, что спектры спонтанного излучения электронно-дырочных пар, оставшихся в полупроводнике после формирования когерентного коллективного электронно-дырочного состояния, соответствуют сильному перегреву носителей заряда. Наблюдаемое явление может быть объяснено в рамках обнаруженного ранее эффекта динамического охлаждения и неравновесной конденсации коллективно спаренных носителей на дно зон в процессе сверхизлучения.

PACS: 71.35.Lk, 42.50.Fx, 42.55.Px

Поступила в редакцию: 19.02.2007