Оптоэлектронное переключение в алмазе и оптический поверхностный пробой

Исследовано оптоэлектронное переключение в двух образцах природного алмаза типа 2-А при напряжениях до 1000 В и плотностях энергии до 0.6 Дж/см² управляющего лазерного излучения с длиной волны 308 нм и длительностью 60 нс по полувысоте. Показано, что конструкция алмазного коммутатора влияет на эффективность переключения. Обнаружено, что при плотностях энергии свыше 0.2 Дж/см² в случае полной засветки межэлектродной поверхности возникает поверхностный пробой, стимулированный УФ излучением, который шунтирует протекание тока через алмазный кристалл. Исключение засветки межэлектродной поверхности приводит к предотвращению поверхностного пробоя. Пороговые плотности энергии излучения, достаточные для возникновения поверхностного пробоя, определены при напряженностях электрического поля до 10 кВ/см.