RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 10, страницы 956–960 (Mi qe13624)

Эта публикация цитируется в 16 статьях

Специальный выпуск, посвященный 25-летию Института общей физики им. А.М.Прохорова

Высокоскоростное аблирование сверхглубоких каналов фазово-сопряженным Nd:ИАГ-лазером с динамически регулируемой пассивной модуляцией добротности

Т. Т. Басиевa, С. В. Гарновa, С. М. Климентовa, П. А. Пивоваровa, А. В. Гавриловb, С. Н. Сметанинb, С. А. Солохинb, А. В. Фединb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Ковровская государственная технологическая академия

Аннотация: Исследованы параметры высокоскоростного аблирования сверхглубоких каналов при регулируемом импульсно-периодическом облучении цугами импульсов одномодового фазово-сопряженного Nd:ИАГ-лазера с динамическим резонатором с частотой повторения импульсов в цуге 40 – 250 кГц, их длительностью 20 – 200 нс и энергией 70 – 250 мДж. Найдены оптимальные параметры обработки, при которых в сверхглубоком канале поддерживается долгоживущая область горячего разреженного газа, уменьшающая экранирующее действие приповерхностной плазмы. Применение метода управления процессом лазерной генерации во время абляции оптимизирует процессы не только нагрева и плазмообразования, но и выноса обрабатываемого материала в паузе между лазерными импульсами. Использование адаптивного регулирования параметров генерации лазера в процессе аблирования позволило получить сверхглубокие каналы длиной 8 – 27 мм с диаметрами входных и выходных отверстий 80 – 300 мкм в металлах (алюминий, сталь, никелевый суперсплав Inconel 718) и сверхтвердой керамике (Al2O3, AlN, SiC).

PACS: 52.38.Mf, 42.55.Rz, 42.62.Cf

Поступила в редакцию: 14.05.2007


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2007, 37:10, 956–960

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024