Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе

При исследовании ряда инжекционных полупроводниковых лазеров спектрального диапазона 1050 — 1080 нм было зафиксировано скачкообразное уменьшения длины волны генерации с увеличением тока накачки. Учет сегрегационных явлений, в значительной мере искажающих номинальный профиль квантоворазмерной активной области лазерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs в процессе роста, позволил рассчитать их энергетический спектр, согласующийся с результатами экспериментальных спектральных измерений. На основе проведенного расчета идентифицированы энергетические уровни размерного квантования, участвующие в генерации при уменьшении длин волн излучения лазеров.