П. П. Васильев, Х. Кан, Т. Хирума, “Влияние режима сверхизлучения на ближнее и дальнее поля излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 38:5 (2008), 424

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Лазеры

Влияние режима сверхизлучения на ближнее и дальнее поля излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs

П. П. Васильев^a, Х. Кан^b, Т. Хирума^b

^a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
^b Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K., Japan

Аннотация: Экспериментально исследовано ближнее и дальнее поля излучения в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режимах лазерной генерации, а также генерации фемтосекундных импульсов сверхизлучения. Продемонстрировано в явном виде, что, в отличие от лазерной генерации, в режиме сверхизлучения отсутствуют такие явления, как самофокусировка, нестабильность и деформация ближнего и дальнего полей излучения. Наблюдаемые явления могут быть объяснены свойствами когерентного кооперативного электронно-дырочного состояния, обнаруженного ранее.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.65.Re, 42.50.Nn

Поступила в редакцию: 27.08.2007
Исправленный вариант: 17.01.2008