Полупроводниковые лазеры на основе квантовых точек для систем оптической связи

Рассматриваются основные технологические и физические аспекты инжекционных лазеров в системах оптической связи спектрального диапазона 1.2 — 1.3 мкм, в которых в качестве активной области используются массивы самоорганизующихся полупроводниковых квантовых точек InAs/InGaAs на подложках GaAs. Демонстрируется возможность одновременной генерации большого числа продольных мод с высоким уровнем мощности и низким уровнем шумов и обосновывается применимость подобных лазеров в системах со спектральным уплотнением каналов, основанных на частотном разделении выходного лазерного спектра.