RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 12, страницы 1147–1154 (Mi qe13819)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Волоконные световоды

Фото- и термоиндуцированные реакции с участием водорода в волоконных световодах с высокой концентрацией германия в сердцевине

А. О. Рыбалтовскийa, В. В. Колташевb, О. И. Медведковb, А. А. Рыбалтовскийb, В. О. Соколовb, С. Н. Клямкинc, В. Г. Плотниченкоb, Е. М. Диановb

a НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет

Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния (КР) исследованы механизмы фото- и термоиндуцированных реакций с участием молекул H2 в германосиликатных волоконных световодах с молярной концентрацией GeO2 в сердцевине 22% (ВС1) и 97% (ВС2) после их насыщения молекулярным водородом при давлениях 150 МПа (1500 атм). Механизмы фотореакций изучались в широком диапазоне длин волн воздействующего лазерного излучения (244, 333, 354, 361 и 514 нм), а термоиндуцированные реакции – при нагреве световода до 500°С. Установлено, что основной механизм образования водородсодержащих дефектов, имеющих полосы КР с максимумами на частотах 700, 750, 2190, 3600 и 3680 см-1, связан с разрывом регулярных связей ≡Ge – O – Ge≡ или ≡Ge – O – Si≡ и c образованием гидридных и гидроксильных групп =GeH2 (700, 750), ≡Ge – H (2190), ≡GeO – H (3600) и ≡SiO – H (3680 см-1). Обнаружены особенности этих реакций, проявляющиеся в световодах ВС1 или ВС2. Так, только в световодах ВС1 в фотоиндуцированных реакциях наблюдается образование гидроксильных групп ≡Si – OH. И только в световодах ВС2 обнаружено появление нанокластеров германия в результате их отжига при сравнительно низкой температуре (~500°С) и дефектов ≡GeO – H и ≡Ge – H – при возбуждении длинноволновым лазерным излучением с длиной волны 514 нм.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 02.02.2008
Исправленный вариант: 01.04.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2008, 38:12, 1147–1154

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024