RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 4, страницы 337–341 (Mi qe13856)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Наноструктуры

Исследование нанотрубочных 3D-композитов, полученных под действием лазерного излучения

С. А. Агееваa, И. И. Бобринецкийb, В. И. Коновc, В. К. Неволинb, В. М. Подгаецкийb, О. В. Пономареваd, В. В. Савранскийc, С. В. Селищевb, М. М. Симунинb

a ФГУ "ГНЦ лазерной медицины", г. Москва
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
c Центр естественнонаучных исследований Института общей физики им. А. Н. Прохорова РАН, г. Москва
d Научно-производственная фирма "ДЕЛТАРУС", г. Долгопрудный, Московская обл.

Аннотация: Изучены условия создания 3D-нанокомпозитов путем самосборки под действием непрерывного лазерного излучения ближнего ИК диапазона. Исследованы четыре типа многослойных и однослойных углеродных нанотрубок, изготовленных методами химического осаждения из газовой фазы путем диспропорционирования на Fe-кластерах и методом термического катодного распыления в инертном газе. Композиты из водных растворов бычьего сывороточного альбумина изготавливались с помощью лазерного облучения, продолжающегося вплоть до испарения растворителя белка и получения однородного черного материала — модифицированного альбумина, армированного нанотрубками. Консистенция материала могла варьироваться от пастообразной до стеклообразной. Методами атомно-силовой микроскопии исследован характер топографии наноматериалов. Нанокомпозиты представляли собой объёмную квазипериодическую структуру из практически круглых или торообразных глобул диаметром 200 — 500 нм, видимая высота которых составляла 30 — 40 нм. Внутренняя квазипериодическая структура могла проявляться сквозь микроразрывы поверхности композитов. Плотность нанокомпозитов былa примерно на 20% больше, а твердость в 3 — 5 раз выше, чем у мелкокристаллического порошка альбумина.

PACS: 61.48.De, 81.07.De

Поступила в редакцию: 12.03.2008
Исправленный вариант: 27.11.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2009, 39:4, 337–341

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024