RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 9, страницы 803–804 (Mi qe13961)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Письма

Лазер на основе кристалла Cr2+:CdS, перестраиваемый в спектральной области 2.2 — 3.3 мкм

В. А. Акимовa, В. И. Козловскийb, Ю. В. Коростелинb, А. И. Ландманb, Ю. П. Подмарьковb, Я. К. Скасырскийb, М. П. Фроловb

a Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Впервые продемонстрирована лазерная генерация на кристалле Cr2+:CdS. При импульсной накачке Tm:YAP-лазером с длиной волны 1.94 мкм выходная энергия Cr2+:CdS-лазера достигала 4 мДж при дифференциальной эффективности по поглощенной энергии накачки 39%. В дисперсионном резонаторе с призмой осуществлена плавная перестройка длины волны генерации в диапазоне 2.2 — 3.3 мкм.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh, 42.62.Fi

Поступила в редакцию: 19.08.2008


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2008, 38:9, 803–804

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024