С. Н. Ушаков, М. Н. Хромов, А. В. Шестаков, “Двухмикронная лазерная генерация в режиме модулированной добротности на кристалле YАlO3:Tm3+”, Квантовая электроника, 39:5 (2009), 415

Эта публикация цитируется в 1 статье

Лазеры и усилители

Двухмикронная лазерная генерация в режиме модулированной добротности на кристалле YАlO₃:Tm³⁺

С. Н. Ушаков^a, М. Н. Хромов^a, А. В. Шестаков^b

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b ООО «НПЦ "ЭЛС-94"», г. Москва

Аннотация: Представлены параметры лазера на кристалле YАlO:Tm³⁺ с продольной диодной накачкой, работающего в режиме модулированной добротности. Частота повторения импульсов f = 1—15 кГц. Максимальная средняя мощность генерации составляет 5 Вт (при f = 5—15 кГц), минимальная длительность импульса 130 нс (f = 1 кГц), эффективность 26% (дифференциальная эффективность 58%). Для спектральной области накачки 803—805 нм длина волны генерации была равна 1.99 мкм.

PACS: 42.55.Rz, 42.60.Gd

Поступила в редакцию: 22.10.2008