А. А. Каминский, С. Н. Багаев, Х. Гарсиа-Золе, Г. Й. Эйхлер, Й. Фернандес, Д. Хаке, Ю. Финдайзен, Р. Бальда, Ф. Агулло-Руэда, “Первое наблюдение генерации стимулированного излучения и ВКР в кубических ацентрических кристаллах Bi12SiO20:Nd3+”, Квантовая электроника, 26:1 (1999), 6

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Письма в редакцию

Первое наблюдение генерации стимулированного излучения и ВКР в кубических ацентрических кристаллах Bi₁₂SiO₂₀:Nd³⁺

А. А. Каминский^a, С. Н. Багаев^b, Х. Гарсиа-Золе^c, Г. Й. Эйхлер^d, Й. Фернандес^e, Д. Хаке^c, Ю. Финдайзен^d, Р. Бальда^e, Ф. Агулло-Руэда^f

^a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
^b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
^c Universidad Autonoma de Madrid, Spain
^d Optical Institute,Technical University of Berlin, Germany
^e Basque Country University, Bilbao, Spain
^f Institute of Materials Science of Madrid, Cantoblanca, Spain

Аннотация: Впервые получены лазерная генерация (канал ⁴F_3/2 – ⁴I_11/2) и ВКР в монокристалле Bi₁₂SiO₂₀:Nd³⁺ при комнатной температуре. Все наблюдавшиеся линии вынужденного излучения, а также стоксовы и антистоксовы линии генерации были идентифицированы.

PACS: 42.55.Rz, 42.65.Es, 42.70.Hj, 42.70.Mp

Поступила в редакцию: 05.11.1998