RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 1, страницы 28–32 (Mi qe1406)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Лазеры

Эффективность и распределение интенсивности в полупроводниковом лазере, работающем на «вытекающей» моде

А. П. Богатовa, А. Е. Дракинa, В. И. Швейкинb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Рассчитана дифференциальная эффективность полупроводникового лазера, имеющего оптический волновод с вытекающей в подложку волной. Показано, что при достаточно высоком оптическом качестве подложки с потерями ~1см–1 и менее, а также при типичных и достижимых остальных параметрах лазера дифференциальная эффективность близка к предельной. Оптимизация параметров такого лазера позволяет увеличить выходную мощность в несколько раз по сравнению с мощностью лазера, работающего на обычной волноводной моде без вытекания излучения.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Da

Поступила в редакцию: 28.09.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:1, 28–32

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024