RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 1999, том 26, номер 1, страницы 33–36 (Mi qe1407)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Лазеры

Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде

В. И. Швейкинa, А. П. Богатовb, А. Е. Дракинb, Ю. В. Курнявкоa

a Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Экспериментально показано, что в InGaAs/GaAs-гетероструктурах, работающих на вытекающей моде, может быть получена расходимость в вертикальной плоскости менее 1°. Численный расчет диаграммы направленности дал качественное и хорошее количественное согласие с экспериментом.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Поступила в редакцию: 28.09.1998


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 1999, 29:1, 33–36

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024