Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 723

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Лазеры

Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм

Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский

ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

Аннотация: Исследованы тройные вертикально-интегрированные лазеры на основе гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии в едином эпитаксиальном процессе. Типичный наклон ватт-амперной характеристики для тройного лазерного диода составил 2.6 Вт/А. Представленные частотные характеристики и температурные зависимости оптической мощности от тока накачки продемонстрировали хорошую однородность выращенных гетероструктур. Лазерные диоды, изготовленные на основе тройной лазерной гетероструктуры (ширина полоскового контакта 200 мкм, длина резонатора 1 мм) и излучающие на длине волны 0.9 мкм, позволили достигнуть в импульсном режиме мощности излучения 80 Вт при токе инжекции 40 А.

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Поступила в редакцию: 20.02.2009
Исправленный вариант: 21.05.2009