А. В. Федоров, Д. В. Мартышкин, В. В. Федоров, “Анализ спектров поглощения и спектральное выжигание провалов в бесфононных линиях F3+ и N1 центров окраски в кристаллах LiF”, Квантовая электроника, 40:7 (2010), 647

Эта публикация цитируется в 1 статье

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Анализ спектров поглощения и спектральное выжигание провалов в бесфононных линиях F₃⁺ и N₁ центров окраски в кристаллах LiF

А. В. Федоров^a, Д. В. Мартышкин^b, В. В. Федоров^b

^a Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
^b University of Alabama at Birmingham, USA

Аннотация: Исследованы температурные зависимости и механизмы уширения бесфононных линий центров окраски F₃⁺ (488 нм) и N₁ (523 нм) в кристаллах LiF. Полученные результаты позволили определить константу квадратичного электронно-колебательного взаимодействия для N₁-центра окраски. Эксперименты по спектральному выжиганию провалов в бесфононных линиях F₃⁺ - и N₁-центров окраски свидетельствует о положительном заряде N₁-центра окраски.

PACS: 42.62.Fi, 42.70.Mp, 42.70.Gi

Поступила в редакцию: 26.04.2010