RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Квантовая электроника // Архив

Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 4, страницы 301–304 (Mi qe14233)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Лазеры

Повышение эффективности мощных диодных лазеров при использовании алмазных теплоотводов

В. В. Паращукa, Г. И. Рябцевa, А. К. Беляеваa, Т. В. Безъязычнаяa, В. В. Барановb, Е. В. Телешb, Ву Зоан Мьенc, Ву Ван Лукc, Фам Ван Чыонгc

a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
b Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
c Institute of Materials Science, Vietnamese Academy of Science and Technology

Аннотация: На базе многофункциональных ионно-лучевых и магнетронных распылительных систем разработаны химический и вакуумные методы формирования металлических покрытий с высокой адгезией к различным поверхностям, в том числе применительно к медным и алмазным теплоотводящим основаниям (АТО) для диодных лазеров. Определены оптимальные условия сборки диодных лазеров и линеек на основе разработанных способов металлизации и достигнуто существенное улучшение выходных характеристик приборов. В случае лазерных диодов непрерывного режима с АТО предельная выходная мощность увеличивается до двух раз и существенно расширяется линейный (рабочий) участок ватт-амперной характеристики, а кроме того, дифференциальная эффективность по сравнению с эффективностью образцов на медных хладопроводах возрастает в 1.5 — 2 раза. Применение АТО для импульсных лазерных линеек позволяет расширить рабочую область по току накачки в 2 — 3 раза, а по длительности возбуждающих импульсов при частоте их следования f ≥ 10 Гц в миллисекундном диапазоне — более чем на порядок.

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 81.05.Uv

Поступила в редакцию: 12.10.2009
Исправленный вариант: 10.02.2010


 Англоязычная версия: Quantum Electronics, 2010, 40:4, 301–304

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024